碳化硅在足够高的温度下或较低的氧分压下SiC表面上会生成一种挥发性的SiO或者生成的SiO膜被环境腐蚀，这导致碳化硅材料被快速氧化(活性氧化ActiveOxidation)。而碳化硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。由于碳化硅在活性氧化时无法形成SiO:保护膜丧失了钝性氧化时的较好的抗氧化特性产生快速氧化的现象导致碳化硅材料的性能大幅度下降。 Kim和Moorhead的研究”表明在钝性氧化条件下 SiC材料的强度变化不大而当发生了活性氧化后材料强度下降.在1400℃Po为1.5x10MPa(刚低于活性氧化到钝性氧化的临界氧分压)下仅20h强度就下降约50%因此SC的活性氧化是限制其应用的一个严重问题.

实际上碳化硅的活性氧化一般只发生在很低的氧分压情况下通常低于100Pa以下在常压下.碳化硅的活性氧化不会发生航天用飞行器的部件其工作环境有可能满足以上低氧分压条件因此碳化硅制部件的氧化问题就必须引起重视Vaughn和 Maohs3发现气流量的增加将使钝性氧化到活性氧化的转变点移到更高的温度区。所以会加速碳化硅的腐蚀。